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区熔硅单晶硅片
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产品类别Product category
本征及超高阻区熔硅单晶( FZ - Silicon )：
通过区熔法拉制的硅单晶，纯度高，达到11N，少子寿命高，氧碳含量低，无缺陷，晶格结构完美。晶体生长过程中不引入任何杂质，其电阻率范围通常在2000-8000Ω. cm 和≥10000Ω. cm 以上，主要用于制作高反压器件和光电子器件。
中子辐照区熔硅单晶( NTDFZ - Silicon )：
本征区熔单晶通过中子辐照可获得较好的电阻率均匀性的硅单晶，保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器（ SR )、( SCR )、( GTR )、( GTO )、静电感应晶闸管（ SITH )、绝缘栅双极晶体管（ IGBT )、超高压二极管（ PIN )、( SMART POWER )、( POWER IC )、变频器、整流器，是各类大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。
气相掺杂区熔硅单晶( GDFZ - Silicon )：
由于中子辐照区熔硅单晶生产周期较长，成本较高，我们利用杂质扩散原理在拉制区熔硅单晶的过程中加入气相杂质，可得到指定的电导型号和指定范围的电阻率，气掺硅单晶电阻率均匀性与中子辐照相近。气掺单晶的优点是直径大，成本低，制造周期短。其电阻率范围0.1-20000Ω. cm ，少子寿命≥800us，径向电阻率不均匀性≤30%，适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管（ IGBT )、高效太阳能电池等。
区熔直拉硅单晶( FCZ - Silicon )：
采用区熔与直拉两种工艺相结合的方式拉制出的硅单晶，其产品质量介于直拉硅单晶和区熔硅单晶之间，是直拉硅单晶完美替换品。可提高产品品质，使用简单。非常适合代替直拉硅单晶作为原料生产二极管、三极管、肖特基等功率半导体产品，还可以应用于特殊工艺制作的高效太阳能电池上，提高转换效率，可达到23%-26.5%。
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